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发明名称
半导体装置之制造方法;METHOD OF MANUFACTURING A SEMICONDUCTOR DEVICE
摘要
本发明之课题,系在于提供一种:无关于制品之种类,而能够将凸块形成时之生产效率设为一定之半导体装置之制造方法。在本发明之半导体装置之制造方法中,系藉由在半导体晶圆(201)之表面上,以成为第1凸块开口面积的方式来形成导电凸块(211),并在半导体晶圆(201)之表面上,以成为第2凸块开口面积的方式来形成假凸块(213),且在此时以使第1凸块开口面积和第2凸块开口面积之合计会成为与身为仅具有导电凸块(411)之半导体晶圆(402)的导电凸块(411)之开口面积相对应之值的方式,来形成假凸块。
申请公布号
TW201448070
申请公布日期
2014.12.16
申请号
TW103101606
申请日期
2014.01.16
申请人
PS4卢克斯科公司
发明人
佐长裕
分类号
H01L21/60(2006.01)
主分类号
H01L21/60(2006.01)
代理机构
代理人
<name>林志刚</name>
主权项
地址
卢森堡
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