钴溅镀靶及其制造方法

摘要

本发明之钴溅镀靶之特征在于：纯度为99.99%以上，溅镀面内之面内磁导率为5以上且10以下，溅镀面内之面内磁导率之标准偏差为3以内。本发明提供一种藉由降低与溅镀面平行之方向之磁导率，增大与溅镀面垂直之方向之磁导率，提高溅镀效率并且抑制溅镀面内之面内磁导率之不均，而可提高膜之均匀性的钴溅镀靶及其制造方法。