具有锗或三五族主动层的深环绕式闸极半导体装置;DEEP GATE-ALL-AROUND SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING GERMANIUM OR GROUP III-V ACTIVE LAYER

摘要

描述具有锗或三五族主动层的深环绕式闸极半导体装置。例如，非平面半导体装置包括置于基板上的异质结构。该异质结构包括介于不同组成物之较上层和较下层之间的异质接面；主动层系置于该异质结构上及具有不同于该异质结构之该较上层和该较下层的组成；闸极电极堆叠完全地环绕该主动层之通道区且系置于其上，及系置于在该较上层中的该沟槽中且至少部分地在该异质结构之较下层中；源极和汲极区系置于该主动层中及该较上层中，但不是在较下层中，在该闸极电极堆叠之任一侧上。