| 发明名称 |
半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME |
| 摘要 |
一种半导体装置包括：一第一电极；一第二电极；一由多孔绝缘材料所制成且形成在该第一电极与该第二电极之上的中间层绝缘薄膜；及分别电气地连接到该第一电极和该第二电极的连接部份，其中，一空穴是形成在该中间层绝缘薄膜与该第一电极的一表面、该第二电极的一表面、和该等连接部份的部份表面之间。 |
| 申请公布号 |
TW201448209 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103110689 |
申请日期 |
2014.03.21 |
| 申请人 |
富士通股份有限公司 |
发明人 |
尾崎史朗;冈本直哉;牧山刚三;多木俊裕 |
| 分类号 |
H01L29/778(2006.01);H01L21/28(2006.01) |
主分类号 |
H01L29/778(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
