具有矽穿中介层／矽穿孔应用之非挥发性记忆体设备;NON-VOLATILE MEMORY DEVICE WITH TSI/TSV APPLICATION

摘要

本发明公开一种记忆体设备及形成该设备的方法。该设备包括：基板，具有阵列表面及非阵列表面；记忆体阵列，具有藉由在第一方向的第一导体及在第二方向的第二导体而互连的复数个记忆体单元。该记忆体阵列设置在基板的阵列表面上。该记忆体阵列还包含配置在基板中的矽穿孔(TSV)接点。该TSV接点从阵列表面延伸至非阵列表面，使非阵列表面至阵列具有电性连接。