发明名称 基板处理装置,半导体装置之制造方法及记录媒体
摘要 本发明系提供一种可使半导体装置之制造品质提升,并且可使制造产能提升之基板处理装置、半导体装置之制造方法及记录媒体。本发明之基板处理装置系包括有:处理室,其将基板加以收纳;汽化器,其将处理液加以汽化,并将处理气体加以供给至上述处理室内;储液槽,其贮存上述处理液;流量控制部,其控制自上述储液槽而朝向上述汽化器之上述处理液流量;线路切换单元,其连接于上述储液槽;槽供给管,其连接于上述线路切换单元,且对上述储液槽供给处理液;排出部,其连接于上述线路切换单元,且将上述储液槽内之处理液加以排出;及控制部,其在自上述处理液供给管将处理液加以供给至上述储液槽之处理液补充步骤之前与之后中之任一者或两者,以进行自上述储液槽将处理液加以排出至上述排出部之处理液排出步骤、及自上述槽供给管加以将处理液供给至上述排出部之管内排出步骤中之任一步骤或两步骤之方式,加以控制上述线路切换单元。
申请公布号 TW201447984 申请公布日期 2014.12.16
申请号 TW103111689 申请日期 2014.03.28
申请人 日立国际电气股份有限公司 发明人 绀谷忠司;立野秀人;梅川纯史
分类号 H01L21/205(2006.01);C23C16/455(2006.01) 主分类号 H01L21/205(2006.01)
代理机构 代理人 <name>赖经臣</name><name>宿希成</name>
主权项
地址 日本