发明名称 |
半导体装置的驱动方法及半导体装置;METHOD FOR DRIVING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE |
摘要 |
本发明的目的之一是在将使用了矽的电晶体及使用了氧化物半导体的电晶体设置于记忆单元的结构中,能够以不根据多值的个数切换用来读出多值资料的信号的方式从记忆单元读出多值资料。将位元线的电位预充电,藉由用来读出资料的电晶体将该位元线放电,将因放电而变化的位元线的电位作为多值资料读出。藉由采用该结构,可以在读出储存于电晶体的闸极的对应于资料的电位时,使切换用来读出资料的信号的次数为一次。 |
申请公布号 |
TW201447913 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103107439 |
申请日期 |
2014.03.05 |
申请人 |
半导体能源研究所股份有限公司 |
发明人 |
长塚修平;井上広树;石津贵彦;松嵜徳;塩野入豊;加藤清 |
分类号 |
G11C7/12(2006.01);G11C11/56(2006.01) |
主分类号 |
G11C7/12(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>林志刚</name> |
主权项 |
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地址 |
日本 |