发明名称 化合物、微影用下层膜形成材料、微影用下层膜及图型之形成方法;COMPOUND, MATERIAL FOR FORMING LOWER LAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, LOWER LAYER FILM FOR LITHOGRAPHY, AND PATTERN-FORMING METHOD
摘要 本发明之微影用下层膜形成材料系含有具有以下述一般式(1)表示之结构的化合物。;(式(1)中,X系各自独立为氧原子或硫原子,R 1 为单键或碳数1~30之2n价烃基,该烃基可具有环式烃基、双键、杂原子或碳数6~30之芳香族基,R 2 为碳数1~10之直链状、分支状或环状之烷基、碳数6~10之芳基、碳数2~10之烯基或羟基,m为0~3之整数,n为1~4之整数,p为0或1,q为1~100之整数)。
申请公布号 TW201446770 申请公布日期 2014.12.16
申请号 TW103104078 申请日期 2014.02.07
申请人 三菱瓦斯化学股份有限公司 发明人 越后雅敏;牧野嶋高史;内山直哉
分类号 C07D493/04(2006.01);C07D493/14(2006.01);G03F7/11(2006.01);G03F7/40(2006.01);H01L21/027(2006.01) 主分类号 C07D493/04(2006.01)
代理机构 代理人 <name>林志刚</name>
主权项
地址 日本