| 发明名称 |
致密质复合材料、其制法及半导体制造装置用构件;DENSE COMPOSITE MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, AND COMPONENT FOR SEMICONDUCTOR PRODUCTION EQUIPMENT |
| 摘要 |
本发明之致密质复合材料，系含有37~60质量%的碳化矽粒子的同时，分别含有较上述碳化矽的质量%少量的矽化钛、碳化钛矽及碳化钛，开孔率为1%以下。如此之致密质复合材料之特性，系例如，40℃~570℃之平均线热膨胀系数为7.2~8.2ppm/K、热传导率为75W/mK以上，4点抗弯强度为200MPa以上。 |
| 申请公布号 |
TW201446647 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103106689 |
申请日期 |
2014.02.27 |
| 申请人 |
日本碍子股份有限公司 |
发明人 |
神藤明日美;井上胜弘;胜田佑司 |
| 分类号 |
C01B31/36(2006.01);C04B35/567(2006.01) |
主分类号 |
C01B31/36(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪澄文</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
日本 |
