记忆体单元、制造方法、半导体装置结构及记忆体系统;MEMORY CELLS, METHODS OF FABRICATION, SEMICONDUCTOR DEVICE STRUCTURES, AND MEMORY SYSTEMS

摘要

本发明揭示磁性记忆体单元、制造方法、半导体装置结构及记忆体系统。一磁性单元核心包含：至少一磁性区域(例如，一自由区域或一固定区域)，其经组态以展现一垂直磁性定向；至少一基于氧化物之区域，其可以系一穿隧接面区域或一个氧化物顶盖区域；及至少一磁性介面区域，其可包括铁(Fe)或由铁组成。在一些实施例中，该磁性介面区域藉由一磁性区域与至少一基于氧化物之区域隔开。该磁性介面区域之存在增强该磁性单元核心之垂直磁性非等向性(PMA)强度。在一些实施例中，相较于缺少该磁性介面区域之相同磁性单元核心结构之PMA强度，该PMA强度可增强50%以上。