半导体装置、半导体装置的制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明是以提供可在基板面之上形成无外观异常的导电膜之半导体装置与此半导体装置的制造方法为目的。其特征在于包含：六方晶且基板面为(0001)面的基板10；以及复数个导电膜12，形成于上述基板面之上。上述复数个导电膜具有：第一导电膜14，其结晶构造不含具有与上述基板的上述基板面中的原子排列同等的对称性的平面；以及第二导电膜16，形成于上述第一导电膜的上方，其结晶构造含至少一个具有与上述基板的上述基板面中的原子排列同等的对称性的平面；其中上述第二导电膜是粒径15μm以下的多晶体。