| 发明名称 | 电浆蚀刻方法及电浆蚀刻装置;PLASMA ETCHING METHOD AND PLASMA ETCHING APPARATUS | ||
| 摘要 | 提供一种可抑制蚀刻率局部偏差之发生并抑制充电损坏发生的电浆处理方法及电浆蚀刻装置。使用电浆蚀刻装置，来蚀刻被处理基板之矽层的电浆蚀刻方法，系让处理腔室内之压力为13.3Pa以下，并施加第1频率之第1高频功率，以及为较第1频率要低的第2频率之第2高频功率且为1MHz以下频率的第2高频功率至下部电极。 | ||
| 申请公布号 | TW201448031 | 申请公布日期 | 2014.12.16 |
| 申请号 | TW103110595 | 申请日期 | 2014.03.21 |
| 申请人 | 东京威力科创股份有限公司 | 发明人 | 松山昇一郎;清水昭贵;野上达;伊藤清仁;大岩德久;矢桥胜典 |
| 分类号 | H01L21/3065(2006.01) | 主分类号 | H01L21/3065(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>林秋琴</name><name>陈彦希</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||