半导体装置及其制造方法

摘要

本发明是在于提供一种可靠度高的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法系包含：在比半导体基板更上面形成层间绝缘膜之工程；在层间绝缘膜中，形成上面与层间绝缘膜的上面同一平面的导电性柱塞之工程；在层间绝缘膜及导电性柱塞上形成第1钛膜之工程；在第1钛膜上形成铝扩散防止膜之工程；在铝扩散防止膜上形成第2钛膜之工程；在第2钛膜上形成铝膜之工程；及使从铝膜到第1钛膜藉由蚀刻加工来成形而形成配线之工程。