摘要 |
本发明系一种半导体装置,其课题系需要更新动作所成资讯之保持的半导体装置中,防止资讯保持特性之下降所造成之更新不良。其解决手段系具备:输出显示欲更新之字元线之行位址的第1之行位址(RADDa)的更新计数器(41)、和根据对于记忆格阵列之存取履历,追加性输出显示欲更新之字元线之行位址的第2之行位址(RADDb)位址产生部、选择行位址(RADDa,RADDb)之任一方之选择电路(42)。根据本发明时,对应于资讯保持性之下降之记忆格的字元线,可追加更新之故,无关于记忆格之存取履历,可正确保持资讯。 |