发明名称 |
选择性自参照读取;SELECTIVE SELF-REFERENCE READ |
摘要 |
本发明系关于以增加之准确性选择性地执行一读取,诸如自一记忆体之一自参照读取。在一项态样中,自一记忆体阵列之诸如磁阻式随机存取记忆体(MRAM)单元之记忆体单元读取资料。回应于侦测到与自该等记忆体单元读取相关联之一条件,可自该等记忆体单元中之至少一者执行一自参照读取。例如,该条件可指示自该等记忆体单元读取之资料系不可经由错误校正码(ECC)之解码而校正的。与总是执行自参照读取相比,选择性地执行自参照读取可减少与自该记忆体读取相关联之电力消耗及/或延时。 |
申请公布号 |
TW201447880 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103108220 |
申请日期 |
2014.03.10 |
申请人 |
美光科技公司 |
发明人 |
肯尼 韦恩;珊得胡 高提杰S |
分类号 |
G11C11/16(2006.01);G11C29/42(2006.01) |
主分类号 |
G11C11/16(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
主权项 |
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地址 |
美国 |