半导体装置及半导体装置的制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

摘要

本发明提供一种包括氧化物半导体的高可靠性半导体装置。藉由将氧从设置在氧化物半导体层的下侧的基底绝缘层供应到通道形成区，填补有可能形成在通道形成区中的氧缺陷。此外，藉由以覆盖设置在氧化物半导体层的上侧的氧化物层及闸极绝缘层的侧面的方式在闸极电极层上形成氢含量少且氧穿透性低的用作阻障层的保护绝缘层，抑制氧从闸极绝缘层及/或氧化物层脱离，而抑制通道形成区的氧缺陷的产生。