半导体装置及其制造方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

摘要

本发明系一种半导体装置及其制造方法，其中，具备：包含高介电率绝缘材料而具有第1宽度的闸极绝缘膜，和具有较第1宽度为窄之第2宽度的下部闸极电极，和具有第3宽度之上部闸极电极，和被覆上部闸极电极之侧部与上部闸极电极之下部的一部分与下部闸极电极之一部分与未和下部闸极电极接触之闸极绝缘膜的上面之一部分与闸极绝缘膜之侧面的第1衬垫层之半导体装置。