| 发明名称 |
背闸极式非挥发性记忆体单元;BACK-GATED NON-VOLATILE MEMORY CELL |
| 摘要 |
本发明涉及背闸极式非挥发性记忆体单元，提出记忆体装置及其制作方法。记忆体装置包括基板及形成于基板之上的记忆体单元。记忆体单元包括单电晶体。单电晶体包括位于基板之上作用为控制闸极的第一闸极，以及内嵌于基板中作用为选择闸极的第二闸极。 |
| 申请公布号 |
TW201448192 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103104219 |
申请日期 |
2014.02.10 |
| 申请人 |
格罗方德半导体私人有限公司 |
发明人 |
林启荣;陈健民;郭克文 |
| 分类号 |
H01L27/24(2006.01);H01L29/66(2006.01);H01L29/788(2006.01);H01L29/792(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/24(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>洪武雄</name><name>陈昭诚</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
新加坡 |
