发明名称 |
影像感测器装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明之实施形态之影像感测器装置具有:感测器阵列,将由光二极体及MOS电晶体所构成之背面照射型的像素矩阵配置于半导体基板上而形成;半导体薄膜,于感测器阵列上透过层间绝缘膜而形成;及复数个类比数位转换电路,由形成于半导体薄膜上之薄膜电晶体所构成;类比数位转换电路是设置成:对应于藉由感测器阵列之像素一一分割为特定个数所形成之各区块,互相对应之区块与类比数位转换电路是以贯通层间绝缘膜内的层间通孔而电性地连接。 |
申请公布号 |
TW201448184 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW103102929 |
申请日期 |
2014.01.27 |
申请人 |
东芝股份有限公司 |
发明人 |
手塚勉 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01);H01L23/52(2006.01) |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>恽轶群</name><name>陈文郎</name> |
主权项 |
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地址 |
日本 |