| 发明名称 | 具备静电放电（ＥＳＤ）保护电路的半导体装置;SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING AN ESD PROTECTION CIRCUIT | ||
| 摘要 | 〔课题〕提供面积小的ESD保护电路。〔解决手段〕具备：一端被连接于输入端子(11)的N型之井内之P型之扩散电阻(12)；被连接于电源端子之N型之井和扩散电阻(12)之间的二极体(14)；闸极及源极被连接于接地端子，汲极被连接于扩散电阻(12)之另一端的NMOS电晶体(15)；和在电源端子和接地端子之间产生的寄生二极体。 | ||
| 申请公布号 | TW201448159 | 申请公布日期 | 2014.12.16 |
| 申请号 | TW103102114 | 申请日期 | 2014.01.21 |
| 申请人 | 精工电子有限公司 | 发明人 | 片仓贵司;原田博文;广瀬嘉胤 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01);H01L27/04(2006.01) | 主分类号 | H01L23/60(2006.01) |
| 代理机构 | 代理人 | <name>林志刚</name> | |
| 主权项 | |||
| 地址 | 日本 | ||