| 发明名称 |
垂直集成系统;VERTICALLY INTEGRATED SYSTEMS |
| 摘要 |
本发明之实施例提供一种积体电路系统，其包括：一第一作用层，其制造于一半导体晶粒之一前侧上；及一第二预先制造层，其在该半导体晶粒之一背侧上且具有体现于其中之电组件，其中该等电组件包括至少一离散被动组件。该积体电路系统亦包括将该第一作用层与该第二预先制造层耦接之至少一电路径。 |
| 申请公布号 |
TW201448125 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
| 申请号 |
TW103131989 |
申请日期 |
2011.12.15 |
| 申请人 |
美国亚德诺半导体公司 |
发明人 |
欧唐尼尔 亚伦;艾瑞特 圣地牙哥;莫菲 马克Ｊ;莱登 柯林;凯西 盖瑞;英格利许 佑恩 艾德华 |
| 分类号 |
H01L23/045(2006.01);H01L23/488(2006.01);H01L23/50(2006.01);H01L23/528(2006.01);H01L25/16(2006.01) |
主分类号 |
H01L23/045(2006.01) |
| 代理机构 |
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代理人 |
<name>陈长文</name> |
| 主权项 |
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| 地址 |
美国 |
