发明名称 半导体装置及其制作方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF
摘要 一种半导体装置,包括鳍状突起结构、绝缘结构、闸极结构、以及磊晶结构。鳍状突起结构系延伸出基板之表面且具有一顶面以及二侧面。绝缘结构系环绕鳍状突出结构。闸极结构包覆部份鳍状突起结构的顶面以及二侧面,以及覆盖部份绝缘结构。其中位于闸极结构下方的绝缘结构具有一第一顶面,位于闸极结构两侧的绝缘结构具有一第二顶面,且第一顶面与高于第二顶面。磊晶结构系设置于闸极结构的一侧且直接接触鳍状突起结构。
申请公布号 TW201448120 申请公布日期 2014.12.16
申请号 TW102120119 申请日期 2013.06.06
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 洪裕祥;傅思逸;张仲甫;陈正国;林建廷
分类号 H01L21/8234(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/78(2006.01) 主分类号 H01L21/8234(2006.01)
代理机构 代理人 <name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name>
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号