发明名称 |
半导体装置及其制作方法;SEMICONDUCTOR DEVICE AND FABRICATION METHOD THEREOF |
摘要 |
一种半导体装置,包括鳍状突起结构、绝缘结构、闸极结构、以及磊晶结构。鳍状突起结构系延伸出基板之表面且具有一顶面以及二侧面。绝缘结构系环绕鳍状突出结构。闸极结构包覆部份鳍状突起结构的顶面以及二侧面,以及覆盖部份绝缘结构。其中位于闸极结构下方的绝缘结构具有一第一顶面,位于闸极结构两侧的绝缘结构具有一第二顶面,且第一顶面与高于第二顶面。磊晶结构系设置于闸极结构的一侧且直接接触鳍状突起结构。 |
申请公布号 |
TW201448120 |
申请公布日期 |
2014.12.16 |
申请号 |
TW102120119 |
申请日期 |
2013.06.06 |
申请人 |
联华电子股份有限公司 |
发明人 |
洪裕祥;傅思逸;张仲甫;陈正国;林建廷 |
分类号 |
H01L21/8234(2006.01);H01L21/84(2006.01);H01L29/78(2006.01) |
主分类号 |
H01L21/8234(2006.01) |
代理机构 |
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代理人 |
<name>吴丰任</name><name>戴俊彦</name> |
主权项 |
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地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |