记忆体装置以及在此种记忆体装置中控制漏电流的方法;A MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING LEAKAGE CURRENT WITHIN SUCH A MEMORY DEVICE

摘要

提供一种记忆体装置，包含设置为复数列与行的记忆体细胞元阵列，每一列耦接至相关联的读取字线且每一行形成至少一个行群组，其中每一行群组的记忆体细胞元耦接至相关联的读取位元线。每一行群组具有活跃作业模式与非活跃作业模式，在活跃作业模式中可对彼行群组内的启动记忆体细胞元执行读取作业，在非活跃作业模式中无法执行读取作业。对于在活跃作业模式中的每一行群组，使用预充电电路系统以在读取作业之前将相关联的读取位元线预充电至第一电压位准。每一记忆体细胞元具有连接在相关联的读取位元线与不同于第一电压位准的第二电压位准之间的耦接电路系统，且在读取作业中，相关联于启动记忆体细胞元的耦接电路系统经配置以根据储存在彼启动记忆体细胞元内的资料值，选择性地将相关联的读取位元线朝向第二电压位准放电。记忆体装置进一步包含箝位电路系统，对于在非活跃作业模式中的每一行群组，箝位电路系统经配置以将相关联的读取位元线连接至第二电压位准，以移除通过彼行群组的每一记忆体细胞元的耦接电路系统的漏电流路径。此种作法显着地减少了操作在非活跃作业模式中的记忆体装置部件所贡献的漏电流。