电阻式随机存取记忆体（ＲＥＲＡＭ）与导电桥式随机存取记忆体（ＣＢＲＡＭ）交叉耦合之熔线管与读取方法及系统;RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (RERAM) AND CONDUCTIVE BRIDGING RANDOM ACCESS MEMORY (CBRAM) CROSS COUPLED FUSE AND READ METHOD AND SYSTEM

摘要

藉由将一导电与非导电电阻式记忆体胞两者配置为一交叉耦合配置以促进读取一资料状态，该等记忆体胞之电阻值可具有非常小之差异且仍能正确读取。此允许该等记忆体胞两者之电阻随时间变化且仍具有介于其等之电阻之间之足够差异来读取经程式化之所需资料状态。一对ReRAM或CBRAM电阻式记忆体器件经组态为单一位元记忆体胞且被用于储存一单独资料位元，其中该等电阻式记忆体器件之一者处于一擦除条件且该对之另一电阻式记忆体器件处于一写入条件。因为在其导电状态之间存在一跳脱点，所以无需使用一参考电压或电流来实现读取该对电阻式记忆体器件之电阻状态。