| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine Schottkydiode, aufweisend ein n+-Substrat (10), eine n-Epischicht (20), die eine Dicke (D_epi) aufweist, mindestens zwei in die n-Epischicht (20) eingebrachte Gräben (70), die jeweils eine Breite (Wt)und eine Tiefe (Dt) aufweisen, Mesa-Bereiche (80) zwischen benachbarten Gräben (70), wobei die Mesa-Bereiche jeweils eine Breite (Wm) aufweisen, eine einen ohmschen Kontakt bildende und als Kathodenelektrode dienende erste Metallschicht (60) an der Rückseite (R) der Schottkydiode sowie eine einen ohmschen Kontakt zu den Gräben (70) und einen Schottky- Kontakt zu der n-Epischicht (20) bildende und als Anodenelektrode dienende zweite Metallschicht (50) an der Vorderseite (V) der Schottkydiode, wobei p-Schichten (90) mit einer Dicke (D _p)und einer Dotierkonzentration (N _p)direkt unter dem Schottky-Kontakt angeordnet sind, die zusammen mit der zweiten Metallschicht (50) und der n-dotierten Epischicht (20) ein Schottky-Kontaktsystem bilden. |
