发光二极体

摘要

本发明涉及一种发光二极体，其包括：一种发光二极体，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，所述发光二极体进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面；一金属电浆产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面；一第二光学对称层设置于所述金属电浆产生层远离活性层的表面；所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值n大于等于0小于等于0.5，其中n=|n1-n2|。

主权项

一种发光二极体，其包括：一基底、一第一半导体层、一活性层、一第二半导体层、一第一电极以及一第二电极，所述第一半导体层、活性层以及第二半导体层依次层叠设置于所述基底的一表面，且所述第一半导体层靠近基底设置，所述第一电极与所述第一半导体层电连接，所述第二电极与所述第二半导体层电连接，其中：所述发光二极体进一步包括：一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面，一金属电浆产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面，一第二光学对称层设置于所述金属电浆产生层远离活性层的表面，所述第二光学对称层的等效折射率n1，与所述基底、第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值n大于等于0小于等于0.5，其中n=|n1-n2|。