发明名称 |
溅射装置 |
摘要 |
本发明是在于提供一种可判定靶的表面状态来正确且迅速地实行必要的部分的净化之机构。;具备:;磁石单元(4),其系可在靶(5)的表面形成磁场;旋转系(8),其系驱动磁石单元,可变更在靶表面的磁场的形成位置及强度所对应的磁场形成图案;及电流计(59),其系计测藉由磁石单元来使形成磁场,对靶所安装的靶电极施加放电用电压时的靶电流。;藉由旋转系来使磁石单元的位置变化成各式各样,在各位置计测靶电流来与基准值作比较,藉此判定各位置的净化需要与否,可只对必要的部分实施净化。 |
申请公布号 |
TWI464287 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
申请号 |
TW100148917 |
申请日期 |
2011.12.27 |
申请人 |
佳能安内华股份有限公司 日本 |
发明人 |
涩谷阳介 |
分类号 |
C23C14/34;C23C14/35;C23C14/54 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
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代理人 |
林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼 |
主权项 |
一种溅射装置,其特征系具备:磁石单元,其系可在靶的表面形成磁场;变更机构,其系驱动前述磁石单元,可变更包含在靶表面的磁场的形成位置及强度之磁场形成图案;放电状态计测机构,其系计测对前述靶所安装的靶电极施加放电用电压时的放电状态值;记忆机构,其系记忆对应于藉由前述变更机构可生成的各磁场形成图案所取得的放电状态的基准值;判定机构,其系根据第1磁场形成图案中藉由前述放电状态计测机构所计测的放电状态值、及对应于前述记忆机构所记忆的该第1磁场形成图案的放电状态的基准值之比较,判定靶表面的状态;及控制机构,其系根据前述判定机构的判定结果,选择与前述第1磁场形成图案不同的第2磁场形成图案,以能够生成该第2磁场形成图案的方式控制前述变更机构,使溅射净化实行。 |
地址 |
日本 |