发明名称 複数の熱経路を備える積み重ねられた半導体ダイアセンブリ、ならびに関連するシステムおよび方法
摘要 複数の熱経路を備える積み重ねられた半導体ダイアセンブリ、ならびに関連付するシステムおよび方法が、本明細書に開示される。一実施形態では、半導体ダイアセンブリは、積み重ねで配列された複数の第1の半導体ダイと、第1の半導体ダイを担う第2の半導体ダイと、を含むことができる。第2の半導体ダイは、第1の半導体ダイの少なくとも一方側を超えて外側へ横に延びる周辺部分を含むことができる。半導体ダイアセンブリは、第2の半導体ダイの周辺部分において熱伝達特徴を更に含むことができる。第1の半導体ダイは第1の熱経路を画定することができ、熱伝達特徴は、第1の半導体ダイから分離した第2の熱経路を画定することができる。【選択図】図1
申请公布号 JP2014533439(A) 申请公布日期 2014.12.11
申请号 JP20140541369 申请日期 2012.11.12
申请人 マイクロン テクノロジー, インク. 发明人 グルースイス,スティーブン,ケー.;リ,ジアン;ジャーン,ハオジュン;シルベストリ,ポール,エー.;リ,シャオ;ルオ,シジアン;イングランド,ルーク,ジー.;キース,ブレント;ガンディ,ジャスプリート,エス.
分类号 H01L25/065;H01L23/34;H01L25/07;H01L25/18 主分类号 H01L25/065
代理机构 代理人
主权项
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