发明名称 主波长分布收敛之发光元件及其制造方法
摘要 本发明揭示一种主波长分布收敛之发光元件及其制造方法。上述发光元件至少包含一基板;复数位于基板上之发光叠层,其中上述复数发光叠层发出一具有一第一主波长变异值之第一光束;以及,一位于发光叠层上之波长转换收敛层,其中此波长转换收敛层吸收第一光束并发出一第二光束,且第二光数具有一第二主波长变异值。于上述之发光元件中,上述第一主波长变异值大于此第二光束主波长变异值。
申请公布号 TWI464921 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW098106259 申请日期 2009.02.25
申请人 晶元光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号 发明人 吕志强;徐舒婷;陈彦文;王健源;刘如熹;谢明勋;郭政达
分类号 H01L33/50 主分类号 H01L33/50
代理机构 代理人
主权项 一种主波长分布收敛之发光元件制造方法,至少包括下列步骤:提供一基板;形成复数发光叠层于该基板上,其中该复数发光叠层发出一第一光束,且该第一光束具有一第一主波长变异值;形成一波长转换收敛层于该复数发光叠层上,该波长转换收敛层吸收该第一光束并发出一第二光束,且该第二光束具有一第二主波长变异值,其中该第一主波长变异值大于该第二光束主波长变异值;以及形成至少一波长转换层于该波长转换收敛层上,该波长转换层吸收部分该第二光束且发出第三光束,其中该第二光束波长小于该第三光束波长,且该第二光束与该第三光束混合产生一第四光束。
地址 新竹市新竹科学工业园区力行五路5号