发光二极体元件及其制造方法

摘要

一种发光二极体元件之制造方法，包括提供一垂直结构型发光二极体元件，其具有设置于一基板上之一氮化镓层。该氮化镓层系经过处理。该处理包括于该氮化镓层上施行一离子布植程序及施行一巨粗糙化处理。该离子布植程序可于该氮化镓层上形成一经粗糙化表面区。于一实施例中，该离子布植程序系于低于约摄氏25度之一温度下施行。于另一实施例中，于施行该离子布植程序时，该基板系处于低于约摄氏0度之一温度。

主权项

一种发光二极体元件之制造方法，包括：提供一垂直结构型发光二极体元件，其具有设置于一基板上之一氮化镓层，其中该氮化镓层至少为一P型层与一N型层其中之一；以及处理该氮化镓层，其中该处理包括了于该氮化镓层上施行一离子布植程序及施行一巨粗糙化处理。