利用光学量测及感测器装置之蚀刻制程控制

摘要

本发明提供一种控制用于蚀刻制程中的基板处理之制造丛集的方法及系统，该制造丛集具有设备设定及制程参数。产生蚀刻阶段量测对实际蚀刻阶段资料的相关性，蚀刻阶段量测包含使用二或更多光学量测装置及蚀刻感测器装置的量测。蚀刻阶段数值系使用所产生之相关性及蚀刻阶段量测加以提取。若蚀刻阶段量测目标未受到满足，便修改量测装置、选择不同蚀刻感测器装置、增进蚀刻阶段量测、及/或改善相关性演算法。重复该等步骤直到满足蚀刻阶段量测目标。所提取之蚀刻阶段数值系用以调整制造丛集的设备设定及/或制程参数。

主权项

一种控制制造丛集的系统，该制造单元丛集系用于蚀刻制程中之基板的处理，该系统包含：第一制造丛集，用以处理基板，该第一制造丛集包含：蚀刻制程工具，配置成蚀刻该基板上之一或更多层，该蚀刻制程工具具有蚀刻腔室、量测观察孔、控制器、及一或更多蚀刻制程参数；蚀刻阶段量测系统，配置成量测蚀刻阶段并满足二或更多蚀刻阶段量测目标，该蚀刻阶段量测系统包含：第一光学量测装置，耦接至该蚀刻制程工具，该第一光学量测装置系配置成量测来自该蚀刻腔室的电磁能；第二光学量测装置，耦接至该蚀刻制程工具，该第二光学量测装置系配置成照射该基板之一或更多位置并量测来自受照射之该一或更多位置的绕射讯号；蚀刻感测器装置，耦接至该蚀刻处理工具，该蚀刻感测器装置系配置成量测该一或更多蚀刻制程参数之一制程参数，该制程参数具有与该蚀刻阶段的高相关性；及处理器，耦接至该蚀刻处理工具、该第一光学量测装置、及该第二光学量测装置，该处理器系配置成产生：所量测之来自该第一及第二光学量测装置的该电磁能及该绕射讯号及所量测之来自该蚀刻感测器装置的该制程参数对实际蚀刻阶段资料的相关性演算法；使用来自该第一及第二光学量测装置的蚀刻阶段量测及该蚀刻阶段量测对该实际蚀刻阶段资料的相关性来提取蚀刻量测数值；若经计算之二或更多蚀刻阶段量测目标相较于经设定之二或更多蚀刻阶段量测目标未受到满足，便修改该第一及第二光学量测装置、改善该相关性演算法、及/或藉由针对所测之该电磁能中的杂讯调整而增强该蚀刻阶段量测；及重复产生该相关性演算法、提取该蚀刻量测数值、将该经计算之二或更多蚀刻阶段量测目标与该经设定之二或更多蚀刻阶段量测目标相比、及修改该第一及第二光学量测装置、改善该相关性演算法、及/或藉由针对所测之该电磁能中的杂讯调整而增强该蚀刻阶段量测直到该二或更多蚀刻阶段量测目标受到满足；及第二制造丛集，耦接至该第一制造丛集及该蚀刻阶段量测系统，该第二制造丛集具有一或更多设备设定及一或更多制程参数，且系配置成基于所提取之该蚀刻量测数值之至少一者来调整该一或更多设备设定及/或该一或更多制程参数。