发明名称 荷电粒子束描绘装置及荷电粒子束描绘方法
摘要 本发明之目的系提供一种可比先前进而提高偏向精度之描绘装置。描绘装置100之特征在于具备:Z测定部50,其测定成为描绘对象之基板之高度方向分布;Z图修正部54,其对基板之高度方向分布加上将相依于基板之描绘位置而产生之图案之位置误差换算成高度方向之值之位置相依高度方向分布而进行修正;Z修正部60,其使用经修正之Z图而运算所要描绘之图案之位置偏差量;偏向量运算部62,其运算用以将电子束偏向至所求得之偏向偏差量经修正之位置之偏向量;描绘部150,其以所求得之偏向量将荷电粒子束偏向,而于基板上描绘图案。
申请公布号 TWI464776 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW101103420 申请日期 2012.02.02
申请人 纽富来科技股份有限公司 日本 发明人 上久保贵司
分类号 H01J37/317 主分类号 H01J37/317
代理机构 代理人 陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼
主权项 一种荷电粒子束描绘装置,其特征在于具备:测定部,其测定成为描绘对象之基板之高度方向分布;高度方向分布修正部,其输入将相依于前述基板之描绘位置而产生之图案之位置误差换算成高度方向之值后所得之位置相依高度方向分布,对前述基板之高度方向分布加上前述位置相依高度方向分布,以产生前述基板之经修正之高度方向分布,前述图案之位置误差系包含相依于前述基板之对应描绘位置之分量(component),且排除相依于对前述基板之对应描绘时间之分量;偏向偏差量运算部,其使用经修正之前述高度方向分布而运算所要描绘之图案之偏向偏差量;偏向量运算部,其运算用以将荷电粒子束偏向至所求得之偏向偏差量经修正之位置之偏向量;及描绘部,其以所求得之偏向量将荷电粒子束偏向,而于基板上描绘图案。
地址 日本