| 发明名称 |
基板处理装置、半导体装置之制造方法及基板处理装置的档板构造 |
| 摘要 |
[课题];于知之产生电浆的基板处理装置中，不容易产生高密度之电浆，其结果会产生基板处理之生产率低的问题。;[解决课题之手段];为了解决上述课题，提供一种基板处理装置，其具有：反应容器，系构成为筒状，于其外周设置线圈；盖部，其设于该反应容器之端部；气体导入口，其设于该盖部；第一板，其设于该气体导入口与该线圈之上端之间；第二板，其设于该第一板与该线圈之上端之间；基板处理室，其系于该反应容器内设在与该盖部不同之方向；及排气部，其与该基板处理室连接。 |
| 申请公布号 |
TWI464806 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
| 申请号 |
TW100143469 |
申请日期 |
2011.11.28 |
| 申请人 |
日立国际电气股份有限公司 日本 |
发明人 |
野内英博;桧山真;角田彻;嶋田敏也;天野富天 |
| 分类号 |
H01L21/311 |
主分类号 |
H01L21/311 |
| 代理机构 |
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代理人 |
何金涂 台北市大安区敦化南路2段77号8楼;王彦评 台北市大安区敦化南路2段77号8楼 |
| 主权项 |
一种基板处理装置，其包含：反应容器，系构成为筒状；线圈，其设置在该反应容器的外周；盖部，其设于该反应容器之端部；气体导入口，其设于该盖部；第一板，其设于该气体导入口与该线圈之上端之间且与该盖部之距离成为第1距离的位置上；第二板，其设于该第一板与该线圈之上端之间且为与该第一板之距离成为比该第1距离大的第2距离之位置上；基板处理室，其于该反应容器内设在与该盖部不同之方向；及排气部，其与该基板处理室连接。 |
| 地址 |
日本 |
