| 发明名称 |
利用含铪与含锆前驱物以原子层沉积制备薄膜之方法 |
| 摘要 |
本发明系在提供一种利用含铪与含锆前驱物以原子层沉积制备薄膜之方法，该方法包含将至少一种前驱物送至基层上，该前驱物具有下列化学式II之结构：;(化学式II);M为铪或锆；R为1～6个碳原子(C1～C6)的烷基；n为0、1、2、3、4或5；L为1～6个碳原子(C1～C6)的烷氧基；另外以液体注射原子层沉积法生长含金属薄膜之方法，该方法包含将至少一种前驱物送至基层上，该前驱物具有下列化学式III之结构：;(化学式III);M为铪或锆；R为1～6个碳原子(C1～C6)的烷基；n为0、1、2、3、4或5；L为胺基，可各自选择性以(C1～C6)的烷基取代1或2次。 |
| 申请公布号 |
TWI464290 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
| 申请号 |
TW097134790 |
申请日期 |
2008.09.11 |
| 申请人 |
辛格玛艾瑞契公司 美国 |
发明人 |
海斯 彼得 尼可拉斯;金斯里 安德鲁;宋福泉;威廉斯 保罗;利斯 汤玛士;大卫斯 骇威尔 欧文;奥德达 雷杰斯 |
| 分类号 |
C23C16/06;C23C16/00 |
主分类号 |
C23C16/06 |
| 代理机构 |
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代理人 |
陈长文 台北市松山区敦化北路201号7楼 |
| 主权项 |
一种利用原子层沉积形成含金属薄膜之方法，该方法包含将至少一种前驱物送至基层上，其中该至少一种前驱物具有下列化学式II之结构：其中M为铪或锆；R为1~6个碳原子的烷基；n为0、1、2、3、4或5；及L为1~6个碳原子的烷氧基。 |
| 地址 |
美国 |
