发明名称 表面发光雷射阵列,光学扫描装置,及成像装置
摘要 一种表面发光雷射阵列系包括复数个表面发光雷射元件。各表面发光雷射元件包括:第一反射层,形成在基板上;共振器,与该第一反射层接触而形成,并含有活性层;以及第二反射层,形成在该第一反射层上方,并与该共振器接触。该第二反射层含有选择性氧化层。该第一反射层在该活性层侧上至少含有低折射率层,该低折射率层的氧化率等于或大于该第二反射层中所含有之选择性氧化层的氧化率。该共振器是由至少含有In的AlGaInPAs系材料所制成。台面结构的底部位于该选择性氧化层下方和该第一反射层上方。
申请公布号 TWI464985 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW096131129 申请日期 2007.08.22
申请人 理光股份有限公司 日本 发明人 佐藤俊一;伊藤彰浩;菅原悟;庄子浩义
分类号 H01S5/183;B41J2/455 主分类号 H01S5/183
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种表面发光雷射阵列,包括复数个表面发光雷射元件,该复数个表面发光雷射元件的每一者包含:第一反射层,形成在基板上以构成半导体布拉格反射器;第二反射层,形成在该第一反射层上方,以构成半导体布拉格反射器,该第二反射层中含有选择性氧化层;和共振器凹穴,形成在该第一反射层和该第二反射层之间,且含有活性层,其中该第二反射层和该共振器凹穴接触,其中该第一反射层在该活性层侧上至少含有低折射率层,该低折射率层比该第二反射层中所含有之该选择性氧化层具有相等或更高的铝份额(Al fraction),该共振器凹穴是由至少含有In的AlGaInPAs系材料所制成,且各表面发光雷射元件中之台面结构的底部位于该选择性氧化层下方及该第一反射层上方。
地址 日本