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Ein Herstellungsverfahren für eine Solarzelle schließt einen ersten Schritt des Herstellens einer Störstellendiffusionsschicht ein; einen Schritt des Herstellens einer lichtempfangsseitigen Oberflächenseitenelektrode auf einer Oberflächenseite des Halbleitersubstrats, die elektrisch mit der Störstellendiffusionsschicht verbunden ist; einen Schritt des Herstellens einer rückseitigen Oberflächenseitenelektrode auf einer anderen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats; und einen Schritt des Herstellens einer Unebenheitsstruktur mit einem konkaven Anteil in einer inversen Pyramidenform auf einer Oberfläche der einen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats zu irgendeinem Zeitpunkt, bevor die lichtempfangsseitige Oberflächenseitenelektrode hergestellt wird, wobei das Verfahren einen Schutzfilmherstellungsschritt des Herstellens eines Schutzfilms auf der einen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats einschließt, einen ersten Verfahrensschritt des Herstellens einer Vielzahl von ersten Öffnungen mit einer Form nahe an einer gewünschten Öffnungsform und einer Größe kleiner als eine Zielöffnungsgröße in dem Schutzfilm durch ein Verfahren mit relativ hoher Verfahrenseffizienz, einen zweiten Verfahrensschritt des Herstellens zweiter Öffnungen in dem Schutzfilm durch Vergrößern der ersten Öffnungen bis zu einer Zielöffnungsgröße durch ein Verfahren mit relativ hoher Verfahrensgenauigkeit, und einen Ätzschritt des Herstellens der Unebenheitsstruktur mit dem konkaven Anteil in der inversen Pyramidenform auf der einen Oberflächenseite des Halbleitersubstrats durch Durchführen von anisotropem Nassätzen auf dem Halbleitersubstrat in einem Bereich unter den zweiten Öffnungen über die zweiten Öffnungen. |
