发明名称 单层钻石颗粒散热器及其相关方法
摘要 本发明系关于一种降低热引发缺陷之热调节半导体装置,及其相关方法。此装置可包含有一散热器,系具有一单层钻石颗粒在一薄金属基体内;以及一半导体材料,系热耦合至该散热器。其中,在该散热器与该半导体材料间之热膨胀系数差异系少于或等于约50%。
申请公布号 TWI464839 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW100133908 申请日期 2011.09.21
申请人 铼钻科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路17号 发明人 宋健民
分类号 H01L23/34 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;陈聪浩 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏清泽 台北市松山区敦化北路102号9楼
主权项 一种降低在散热器与半导体间热引发缺陷的方法,包括:设置一单层钻石颗粒于一薄金属散热器中;以及将该散热器热耦合至一半导体材料,其中,在该散热器与该半导体材料间之热膨胀系数差异系少于或等于约50%;其中,设置该单层钻石颗粒形成于该薄金属散热器中更包括:将该单层钻石颗粒涂布于一金属基板上;将该金属基板置于一含金属离子之离子溶液中;以及通入电流至该离子溶液,使一金属层电镀形成于该金属基板上,以稳固该钻石颗粒。
地址 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路17号
您可能感兴趣的专利