发明名称 |
单层钻石颗粒散热器及其相关方法 |
摘要 |
本发明系关于一种降低热引发缺陷之热调节半导体装置,及其相关方法。此装置可包含有一散热器,系具有一单层钻石颗粒在一薄金属基体内;以及一半导体材料,系热耦合至该散热器。其中,在该散热器与该半导体材料间之热膨胀系数差异系少于或等于约50%。 |
申请公布号 |
TWI464839 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
申请号 |
TW100133908 |
申请日期 |
2011.09.21 |
申请人 |
铼钻科技股份有限公司 新竹县湖口乡新竹工业区光复北路17号 |
发明人 |
宋健民 |
分类号 |
H01L23/34 |
主分类号 |
H01L23/34 |
代理机构 |
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代理人 |
苏建太 台北市松山区敦化北路102号9楼;陈聪浩 台北市松山区敦化北路102号9楼;苏清泽 台北市松山区敦化北路102号9楼 |
主权项 |
一种降低在散热器与半导体间热引发缺陷的方法,包括:设置一单层钻石颗粒于一薄金属散热器中;以及将该散热器热耦合至一半导体材料,其中,在该散热器与该半导体材料间之热膨胀系数差异系少于或等于约50%;其中,设置该单层钻石颗粒形成于该薄金属散热器中更包括:将该单层钻石颗粒涂布于一金属基板上;将该金属基板置于一含金属离子之离子溶液中;以及通入电流至该离子溶液,使一金属层电镀形成于该金属基板上,以稳固该钻石颗粒。 |
地址 |
新竹县湖口乡新竹工业区光复北路17号 |