ＤＣＳＱＵＩＤベースのＲＦ磁気計を用いた電子デバイスにおけるオープン欠陥の位置測定のための方法およびシステム

摘要

電子デバイスにおけるオープン欠陥の非破壊的位置測定が、２００ＭＨｚ以上までのコヒーレント磁場を感知可能なＤＣ ＳＱＵＩＤベースのＲＦ磁気計を用いて実行される。ＲＦ磁場（またはＲＦ電流）画像を、電子デバイスの伝導路レイアウトと相関させ、電流画像上のＲＦ電流消失の位置でオープン欠陥の正確な位置が示される。ＳＱＵＩＤ回路と読み出し電子機器の間の送信線遅延、ならびに測定スキームの様々な部品間の近接場カップリングと関連した帯域幅限界は、調査対象のデバイスから生じるＲＦ磁束を変調磁束上に重ね合わせ、二相変調されたＲＦ電圧をＳＱＵＩＤ出力において生成することにより克服され、ＲＦ電圧は処理されて静的磁束をロックし、ＲＦ磁束に対してＡＣバイアスを生じることにより変調レジームを制御し、ＲＦ読み出し電子機器は、出力ＳＱＵＩＤ電圧のＲＦ成分の、変調磁束の周波数ωmおよびＲＦ磁束の周波数【数１】における逐次的復調によるダブルロックインに基づく。