发明名称 |
涂覆金之多晶矽反应器系统和方法 |
摘要 |
本发明提供一种反应室系统,及用于该系统内的相关装置和方法,其中经由在反应室内的一或多个组件上提供一薄金层可以达到减低的功率消耗。该反应室系统可用于化学气相沉积。该金覆层应该维持在至少约0.1微米,且更佳者约0.5至3.0微米的厚度,以在该反应室内提供适当的发射系数(emissivity),因而减低热损失。 |
申请公布号 |
TWI464292 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
申请号 |
TW098109851 |
申请日期 |
2009.03.26 |
申请人 |
GTAT公司 美国 |
发明人 |
刚 杰佛瑞C;菲柔 查德;戴索瑟 丹 |
分类号 |
C23C16/44;C23C16/24 |
主分类号 |
C23C16/44 |
代理机构 |
|
代理人 |
洪武雄 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼;陈昭诚 台北市中正区杭州南路1段15之1号9楼 |
主权项 |
一种反应器系统,包括:反应室,至少包含固定在该反应室内的底板和可操作地连接到该底板的包壳,该反应室的内壁的至少一部份涂覆有厚度至少0.1微米的金层;至少一条丝,接附到该底板;电流源,用以供应电流到该丝;以及气体源,可操作地连通到该反应室,以让气体流经该反应室。 |
地址 |
美国 |