发明名称 边缘电场切换型液晶显示面板之阵列基板及其制作方法
摘要 本发明关于一种边缘电场切换型液晶显示面板之阵列基板及其制作方法。在本发明之边缘电场切换型液晶显示面板之阵列基板中,闸极电极与共通电极系由同一光罩制程形成于基板上,且共通电极、闸极线以及闸极电极系设置于同一层,且保护层系设置于画素电极上。保护层具有复数个第一开口,且各第一开口系至少部分暴露画素电极。
申请公布号 TWI464787 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW100143097 申请日期 2011.11.24
申请人 深超光电(深圳)有限公司 中国 发明人 柳智忠;江冠贤;谢蓓;黎昔耀
分类号 H01L21/28;H01L29/786;H01L21/336;G02F1/1343;G02F1/1368 主分类号 H01L21/28
代理机构 代理人 陈俊铭 台北市内湖区基湖路32号6楼
主权项 一种边缘电场切换(fringe field switching,FFS)型液晶显示(LCD)面板之阵列基板的制作方法,包括:提供一基板;进行一第一光罩制程,以于该基板上形成复数条闸极线、复数个闸极电极以及一共通电极,该第一光罩制程包括:于该基板上形成一第一导电层,并于该第一导电层上形成一第一图案化光阻;将未被该第一图案化光阻覆盖之该第一导电层移除,以于该基板上形成该等闸极线与该等闸极电极;形成一第一透明导电层,覆盖该基板与该第一图案化光阻;以及剥离该第一图案化光阻以及覆盖于该第一图案化光阻上之该第一透明导电层,以于该基板上形成该共通电极;形成一闸极介电层,以覆盖该基板、该等闸极线、该等闸极电极以及该共通电极;进行一第二光罩制程,以于该闸极介电层上形成一图案化半导体层;进行一第三光罩制程,以于该闸极介电层与该图案化半导体层上形成复数条资料线、复数个源极电极以及复数个汲极电极;进行一第四光罩制程,以于该闸极介电层上形成复数个画素电极,其中各该画素电极系与对应之该汲极电极接触以形成电性连结;以及进行一第五光罩制程,以于该闸极介电层、该等资料线、该等源极电极、该等汲极电极以及该等画素电极上形成一保护层,其中该保护层具有复数个第一开口,且各该第一开口至少部分暴露该画素电极。
地址 中国