发光二极体

摘要

本发明揭示一种直接在一矽基板上形成碲化锌(ZnTe)或二氧化钛(TiO2)的缓冲层。然后选择性地形成一氮化铝层，当成该缓冲层的第二层。然后在该缓冲层上形成一氮化镓样板层。在该样板层之上形成用于一氮化镓型蓝光LED的磊晶LED结构，藉此形成一第一多层结构。然后，将一导电载体贴合至该第一多层结构。接着移除该矽基板与该缓冲层，藉此形成一第二多层结构。然后在该第二多层结构上形成电极，并且将该结构切割形成蓝光LED装置。

主权项

一种LED，包括：一矽基板；一缓冲层，其直接位于该矽基板之上且包含一氮化铝(AlN)层和一形成于该矽基板与该AlN层间的碲化锌(ZnTe)层；一氮化镓(GaN)样板层，其位于该缓冲层上；及一磊晶发光二极体(LED)结构，其位于该GaN样板层上；其中该缓冲层位于该矽基板与该磊晶LED结构之间，其中该磊晶LED结构包含一主动层位于一p型层与一n型层之间，并且其中该主动层包含镓与氮。