发明名称 薄膜电晶体、薄膜电晶体之制造方法及具有薄膜电晶体之有机发光显示装置
摘要 薄膜电晶体(thin film transistor,TFT),其使用氧化物半导体做为作用层;制造TFT之方法;以及具有TFT的有机发光显示装置。在一实施例中,TFT包括形成在基板上的第一闸极。源极系形成为和在基板上的闸极间隔开来。第一绝缘层系形成在基板上。作用层是由氧化物半导体所形成,位在第一绝缘层上,并且连接至源极。第二绝缘层系形成在第一绝缘层上。第二闸极系形成在第二绝缘层上,如此不致和第一闸极重叠。汲极系形成为和第二绝缘层上的第二闸极间隔开来,并且连接至作用层。
申请公布号 TWI464881 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW099124844 申请日期 2010.07.28
申请人 三星显示器有限公司 南韩 发明人 金起旭
分类号 H01L29/786;H01L21/336;H01L27/32 主分类号 H01L29/786
代理机构 代理人 李国光 新北市中和区中正路928号5楼;张仲谦 新北市中和区中正路928号5楼
主权项 一种薄膜电晶体(thin film transistor,TFT),其包含:基板;第一闸极,其形成在基板上;源极,其形成为和在基板上的第一闸极间隔开来;第一绝缘层,其形成在具有第一闸极和源极的基板上;作用层,其由氧化物半导体所形成,位在具有第一闸极和源极的第一绝缘层上,该作用层系连接至源极;第二绝缘层,其形成在具有作用层的第一绝缘层上;第二闸极,其形成在第二绝缘层上,如此不致和第一闸极重叠;以及汲极,其形成为和第二绝缘层上的第二闸极间隔开来,该汲极系连接至作用层。
地址 南韩