| 摘要 |
Datentopographiekorrekturschaltung (200) für eine Halbleiterspeichervorrichtung, die folgende Merkmale umfaßt: eine redundante Trefferschaltung zum Bestimmen, ob ein redundantes Element verwendet wurde, um ein defektes Element der Halbleiterspeichervorrichtung zu ersetzen; und eine redundante Topologiekorrekturverwürflerschaltung (202) zum Umwandeln von Daten von einer Datentopologie des defekten Elements zu einer Datentopologie des redundanten Elements, dadurch gekennzeichnet, dass die Topologieverwürflerschaltung ein XOR-Gatter oder ein XNOR-Gatter zum Erzeugen der umgewandelten Daten aufweist. |
