| 主权项 |
一种非挥发性半导体记忆装置，其包括：记忆胞电晶体，其可电性覆写资料；字元线，其连接于上述记忆胞电晶体之闸极；列解码器，其对上述字元线施加读出电压；位元线，其连接于上述记忆胞电晶体之汲极；感测放大器，其经由上述位元线而判定上述记忆胞电晶体之资料；第1位元线箝位用电晶体，其串联连接于上述位元线与上述感测放大器之间；第2位元线箝位用电晶体，其与上述第1位元线箝位用电晶体并联连接，且电流驱动能力高于上述第1位元线箝位用电晶体；及位元线控制电路，其于自上述位元线开始充电起之特定之期间，以共通之闸极电压使上述第1及第2位元线箝位用电晶体导通，且于上述特定之期间经过之后，仅使上述第2位元线箝位用电晶体断开；上述列解码器系藉由将上述字元线之电位自第1读出电压切换成较上述第1读出电压高之第2读出电压，而可连续地读出上述记忆胞电晶体所保持之资料；且上述位元线控制电路系于上述字元线之电位自上述第1读出电压切换成上述第2读出电压时起之特定之期间，以共通之闸极电压使上述第1及第2位元线箝位用电晶体导通，且于上述特定之期间经过之后，仅使上述第2位元线箝位用电晶体断开。 |
