| 摘要 |
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Spiegel für die BEUV-Mikrolithographie, der Licht im Wellenlängenspektrum im Bereich von etwa 5 bis 10 nm reflektiert und Licht im Wellenlängenspektrum des infraroten Spektrums heraus filtert, wobei der Spiegel mindestens ein Substrat (2) und mindestens eine Mehrfachschichtanordnung (1) aus einer Vielzahl von alternierenden Schichten (3, 4) aus zwei unterschiedlichen Materialien aufweist, wobei die alternierenden Schichten (3, 4) ein erstes Schichtmaterial, das Bor oder Borkarbid aufweist, und ein zweites Schichtmaterial umfassen, das ein Halbleiter oder ein Isolator ist. |
