发明名称 发光二极体
摘要 本发明涉及一种发光二极体,其包括:一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置;一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面;一第二电极与所述第二半导体层电连接;其中,所述发光二极体进一步包括:一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面;一金属电浆产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面;一第二光学对称层设置于所述金属电浆产生层远离活性层的表面。
申请公布号 TWI464907 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW101123117 申请日期 2012.06.28
申请人 鸿海精密工业股份有限公司 新北市土城区自由街2号 发明人 朱钧;张淏酥;朱振东;李群庆;金国藩;范守善
分类号 H01L33/08 主分类号 H01L33/08
代理机构 代理人
主权项 一种发光二极体,其包括:一第一半导体层、一活性层以及一第二半导体层依次层叠设置;一第一电极覆盖所述第一半导体层远离活性层的表面;一第二电极与所述第二半导体层电连接;其改良在于,所述发光二极体进一步包括:一第一光学对称层设置于第二半导体层远离活性层的表面;一金属电浆产生层设置于所述第一光学对称层远离活性层的表面;一第二光学对称层设置于所述金属电浆产生层远离活性层的表面;所述第二光学对称层的等效折射率n1,与第一半导体层、一活性层、一第二半导体层以及第二光学对称层的等效折射率n2的差值Δn大于等于0小于等于0.5,其中Δn=|n1-n2|。
地址 新北市土城区自由街2号