发明名称 液晶显示装置和包括该液晶显示装置的电子装置
摘要 本发明的目的之一是提供一种可以实现高的孔径比的液晶显示装置,其中液晶显示装置所具有的像素具备使用氧化物半导体的薄膜电晶体。一种液晶显示装置包括多个具有薄膜电晶体及像素电极的像素,其中该像素与用作扫描线的第一布线电连接,该薄膜电晶体具有在第一布线上隔着闸极绝缘膜设置的氧化物半导体层,该氧化物半导体层以超出设置有第一布线的区域的方式设置,像素电极和氧化物半导体层彼此重叠。
申请公布号 TWI464486 申请公布日期 2014.12.11
申请号 TW103117615 申请日期 2010.09.30
申请人 半导体能源研究所股份有限公司 日本 发明人 荒泽亮;宍户英明
分类号 G02F1/133 主分类号 G02F1/133
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种液晶显示装置,包括:第一导电膜;第二导电膜;第三导电膜;以及电晶体,其中,该电晶体包括氧化物半导体层,该氧化物半导体层包括铟、镓及锌,该氧化物半导体层具有结晶性,该第一导电膜包括被用作该电晶体的闸极的第一区域,该电晶体在与该闸极重叠的区域的该氧化物半导体层中包括通道形成区,该液晶显示装置包括接触于该通道形成区上的氧化物绝缘层,该氧化物绝缘层包括氧化矽,该第一导电膜包括超过在该氧化物半导体层的通道宽度方向上的端部的第二区域,该第一导电膜包括比该被用作闸极的第一区域的宽度小的第三区域,该第三区域被用作扫描线,该第二导电膜被用作信号线,该信号线与该电晶体的源极和汲极中的一个电连接,该电晶体的源极和汲极中的另一个与该第三导电膜电连接,该第三导电膜与像素电极电连接,该第二导电膜及该第三导电膜是藉由对形成在该氧化物半导体层上的导电层进行蚀刻制程而形成的,该氧化物半导体层包括其在通道宽度方向上的长度大于该通道形成区的通道长度的区域,并且,该氧化物半导体层包括其在通道长度方向上的长度大于该第一导电膜的该第三区域的宽度的区域。
地址 日本