电晶体布局装置

摘要

一种电晶体布局装置，包含半导体基底、闸极结构及第一、二金属层，半导体基底包括汲极区与源极区，汲极区于相邻源极区间且源极区于相邻汲极区间而成阵列排列，闸极结构包括在汲极区与源极区间的闸极；第一金属层包括多数第一块状区及第一图案化板状区，第一块状区电连接汲极区，第一图案化板状区间隔围绕第一块状区并电连接源极区，第二金属层包括多数第二块状区及第二图案化板状区，第二块状区电连接第一图案化板状区，第二图案化板状区间隔围绕第二板状区并电连接第一块状区。本发明透过板状区，有效降低第一、二金属层的寄生电阻。

主权项

一种电晶体布局装置，包含：一半导体基底，包括一板本体，及形成于该板本体中的多数个汲极区及多数个源极区，该等汲极区分别设置于两相邻的源极区间，该等源极区分别设置于两相邻的汲极区间，而使该等汲极区与该等源极区相配合成阵列排列；一闸极结构，设置于该半导体基底的一顶面，并包括多数条分别位于任两相邻的汲极区与源极区间且彼此电连接的闸极，该等汲极区、该等源极区，及该等闸极构成一电晶体阵列；一第一金属层，位于该半导体基底上方，并包括多数个第一块状区及一第一图案化板状区，该等第一块状区分别对应电连接该等汲极区，该第一图案化板状区间隔地围绕该等第一块状区，并电连接该等源极区；及一第二金属层，位于该第一金属层上方，并包括多数个第二块状区及一第二图案化板状区，该等第二块状区分别电连接该第一图案化板状区，该第二图案化板状区间隔地环围该等第二块状区，并电连接该等第一块状区。