封装结构与其制法

摘要

本发明提供一种封装结构与其制法。制法包括以下步骤：接合第一封装元件与第二封装元件至第三封装元件之上表面上；分布第一高分子，其中第一高分子包括：第一部份位于第一封装元件与第三封装元件之间的空隙；第二部份位于第二封装元件与第三封装元件之间的空隙；第三部份位于第一封装元件与第二封装元件之间的空隙；对第一高分子进行一固化步骤；以及于固化步骤之后，切割第一高分子之第三部份，以形成沟槽于第一封装元件与第二封装元件之间。

主权项

一种封装结构之制法，包括以下步骤：接合一第一封装元件与一第二封装元件至一第三封装元件之一上表面上；分布一第一高分子，其中该第一高分子包括：一第一部份位于该第一封装元件与该第三封装元件之间的空隙(space)；一第二部份位于该第二封装元件与该第三封装元件之间的空隙(space)；一第三部份位于该第一封装元件与该第二封装元件之间的空隙(space)；对该第一高分子进行一固化步骤；于该固化步骤之后，切割该第一高分子之第三部份，以形成一沟槽(trench)于该第一封装元件与该第二封装元件之间，其中该沟槽具有一底部高于该第三封装元件之上表面；以及于该切割之后，用一第二高分子模造(molding)该第一封装元件、该第二封装元件与该第三封装元件，其中该第二高分子填入该沟槽中。