| 发明名称 |
光电池元件及显示面板 |
| 摘要 |
一种光电池元件，包括一第一电极、一N型掺杂富矽介电层、一P型掺杂富矽介电层以及一第二电极。N型掺杂富矽介电层位于第一电极上，其中N型掺杂富矽介电层中掺杂有一N型掺质。P型掺杂富矽介电层位于N型掺杂富矽介电层上，其中P型掺杂富矽介电层中掺杂有一P型掺质。第二电极位于P型掺杂富矽介电层上。本发明亦提供一种显示面板包含此光电池元件。 |
| 申请公布号 |
TWI464887 |
申请公布日期 |
2014.12.11 |
| 申请号 |
TW097150761 |
申请日期 |
2008.12.25 |
| 申请人 |
友达光电股份有限公司 新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
发明人 |
卓恩宗;彭佳添;陈昱丞;林弘章;温亦谦;孙伟珉;洪集茂;陈俊雄 |
| 分类号 |
H01L31/028;H01L31/075;H01L31/042;G02F1/133 |
主分类号 |
H01L31/028 |
| 代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
| 主权项 |
一种光电池元件，包括：一第一电极；一N型掺杂富矽介电层，位于该第一电极上，其中该N型掺杂富矽介电层包括掺杂有一N型掺质之一第一富矽介电材料；一P型掺杂富矽介电层，位于该N型掺杂富矽介电层上，其中该P型掺杂富矽介电层包括掺杂有一P型掺质之第二富矽介电材料；以及一第二电极，位于该P型掺杂富矽介电层上，其中，该第一富矽介电材料以及该第二富矽介电材料分别选自氮化矽(SiNy)、氮氧化矽(SiOxNy)、富矽碳化矽(SiCz)、氢化富矽氧化矽(SiHwOx)、氢化富矽氮化矽(SiHwNy)、氢化富矽氮氧化矽(SiHwOxNy)或其组合，其中0<w<1、0<x<2、0<y<1.67、0<z<1。 |
| 地址 |
新竹市新竹科学工业园区力行二路1号 |
